Полосовые фильтры
В связи с быстрым развитием современных беспроводных систем связи в направлении более высоких частот, более широкой полосы пропускания и большей интеграции, потребность в высокопроизводительных фильтрах для радиочастотных модулей становится все более актуальной. В передовых технологиях, таких как связь 5G, спутниковая навигация, радиолокационные системы и миллиметровая визуализация, точность и стабильность обработки сигнала напрямую зависят от характеристик фильтров. Традиционные фильтрующие структуры, такие как микрополосковые линии и полосковые линии, демонстрируют хорошие характеристики в низко- и среднечастотном диапазонах, но сталкиваются с такими проблемами, как повышенные потери, значительная паразитная составляющая и недостаточное подавление внеполосных помех в высокочастотном диапазоне (особенно выше 6 ГГц). Поэтому появилась структура на подложке с микрополосковыми линиями (SSS), ставшая идеальной платформой для реализации сверхширокополосных фильтров с высокой избирательностью благодаря своим превосходным характеристикам электромагнитного экранирования, низким диэлектрическим потерям и хорошему контролю импеданса.
Полосковая линия на подложке — это структура линии передачи, в которой центральный проводник расположен между двумя металлическими плоскостями. Ее основная особенность заключается в том, что центральный проводник полностью окружен воздухом или материалом с низкой диэлектрической постоянной, образуя ?подвешенное? состояние. Эта структура эффективно снижает омические потери между проводником и диэлектриком, одновременно уменьшая электромагнитную утечку, тем самым значительно улучшая общий коэффициент качества (значение Q). По сравнению с традиционными микрополосковыми линиями, полосковые линии на подложке имеют меньшие потери излучения и большую пропускную способность по мощности; по сравнению со стандартными полосковыми линиями, она позволяет избежать проблем паразитной связи, вызванных верхней и нижней металлическими крышками.
Кроме того, благодаря своей симметричной структуре, она обладает хорошей способностью подавления синфазных помех, что делает её особенно подходящей для систем связи, требующих высокого отношения сигнал/шум. В частотном диапазоне 2,0–18 ГГц эта структура может обеспечить более стабильное характеристическое сопротивление (обычно 50 Ом) и поддерживает проектирование фильтров нескольких порядков, что делает её одним из предпочтительных решений для реализации высокоэффективных полосовых фильтров.
В практическом проектировании множество геометрических параметров напрямую влияют на основные показатели эффективности фильтра. Выбор материала подложки особенно важен — использование подложек из политетрафторэтилена (ПТФЭ) или оксида алюминия с низкими потерями и высокой стабильностью позволяет поддерживать низкую диэлектрическую постоянную (εr≈2,5~3,0) и очень малый тангенс угла диэлектрических потерь (tanδ < 0,001) на высоких частотах, эффективно подавляя затухание сигнала. Толщина подложки определяет расстояние между центральной зоной проводимости и верхним и нижним металлическими слоями. Слишком тонкая подложка приведет к концентрации электрического поля и риску пробоя, в то время как слишком толстая подложка увеличит объем и снизит эффективность связи. В результате моделирования оптимальная толщина обычно устанавливается в диапазоне 0,8–1,2 мм. Кроме того, ширина центральной полосы проводимости тесно связана с согласованием импеданса и должна быть точно рассчитана на основе целевого импеданса.
На основе вышеописанной концепции проектирования было выполнено трехмерное электромагнитное моделирование с использованием Ansoft HFSS.
Полученные кривые S-параметров показывают, что вносимые потери в полосе пропускания составляют менее 1,8 дБ, возвратные потери — менее 15 дБ, пульсации в полосе пропускания — менее 0,4 дБ, а внеполосное подавление превышает 30 дБ на частотах выше 18 ГГц. Нули передачи расположены вблизи 19,5 ГГц и 21,8 ГГц, что соответствует асимметричным нулям, генерируемым двумя внешними путями связи, эффективно повышая избирательность фильтра. Впоследствии был изготовлен прототип с использованием лазерной резки и прецизионного прессования, а измерения проводились с помощью векторного анализатора цепей (VNA). Результаты измерений показывают, что центральная частота полосы пропускания отклоняется от смоделированного значения менее чем на 0,3%, а максимальные вносимые потери составляют 2,1 дБ, что в значительной степени соответствует данным моделирования. Хотя имеются незначительные отклонения, вызванные сопротивлением паяных контактов и ошибками сборки, общие характеристики соответствуют промышленным стандартам. Этот результат в полной мере демонстрирует надежность и практичность структуры полосковых линий на подложке в сверхширокополосных фильтрах. Тенденции развития и потенциальные области применения. С развитием терагерцовой связи, интеллектуальных сенсорных систем и космических интегрированных радиочастотных трактов, к фильтрам с более высокой степенью интеграции, меньшим энергопотреблением и более широким частотным диапазоном предъявляются новые требования. На этом фоне ожидается, что полосовые фильтры на подложке с полосковыми линиями в диапазоне 2,0–18 ГГц будут способствовать дальнейшему развитию технологии активной настройки, обеспечивая динамическую регулировку частоты за счет использования варикапных диодов или ферритовых материалов, а также создания реконфигурируемых фильтрующих систем. Кроме того, в сочетании с кремниевыми интегральными процессами (SiP, CMOS) или технологией трехмерной многослойной упаковки, можно добиться миниатюрных и модульных конструкций, отвечающих требованиям компактной компоновки портативных устройств и терминалов IoT. Такие высокопроизводительные фильтры также имеют широкие перспективы применения в таких областях, как военные радары, радиоэлектронная борьба и квантовая связь. Дальнейшие исследования будут сосредоточены на разработке новых материалов, интеграции алгоритмов адаптивной фильтрации и создании платформ проектирования с использованием искусственного интеллекта, что позволит вывести радиочастотные фронтальные системы на новый уровень интеллекта, гибкости и многофункционального взаимодействия.